基于酞菁钛氧新相的光电导体材料

发明专利无效专利

申请号：
CN03158638.4
IPC分类号：--
申请日期：
2003-06-21
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于酞菁钛氧新相的光电导体材料
申请号	CN03158638.4	申请日期	2003-06-21
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-05-05	公开/公告号	CN1493926
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朱嘉毅;兹比格纽·托卡斯基;詹姆斯·A·贝克;罗纳德·J·莫德里;戴维·T·阿斯克;纽斯雷拉·朱布兰;卡姆·W·劳
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	宋莉;贾静环

摘要

通过处理γ－型氧酞菁钛氧来提供具有晶格排列内混物的氧酞菁钛氧的晶相，本文中将其称为S－相。S－相是真正的新相，而不是各种相(例如，β－相和γ－相的组合)颗粒的混合物，其原子和分子的内部晶格分布形成新的、非连续的、不均匀的晶格结构。X射线光谱显示了混合的衍射峰，具有的峰以前只明显地存在于各种晶形氧酞菁钛氧的集合中，但现在单个晶形就可以提供。可见光谱显示了显著的吸收差异。在光电导体中也使用新的S－型氧酞菁钛氧，其对于CuK－α特征X射线(波长1.541埃)，至少在布拉格2θ角为9.5±0.2度、9.7±0.2度、11.7±0.2度、13.5±0.2度(任选地在21±0.2度和/或23.5±0.2度)、24.1±0.2度、26.4±0.2度和27.3±0.2处度显示主峰。也可以在15.0、15.3和16.0±0.2度处存在接近或等于主峰的附加峰。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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