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带保护环结构的氮化物器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010160226.3
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L27/02
  • 申请日期:
    2020-03-10
  • 申请人:
    苏州晶界半导体有限公司
著录项信息
专利名称带保护环结构的氮化物器件
申请号CN202010160226.3申请日期2020-03-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-06-23公开/公告号CN111326568A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人苏州晶界半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区新平街388号腾飞科技园24幢1层北侧Desk04 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州晶界半导体有限公司当前权利人苏州晶界半导体有限公司
发明人王磊
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了一种带保护环的氮化物器件,包括有源区和终端区的氮化物器件结构;所述氮化物器件结构包括衬底、氮化物缓冲层、外延结构、介质层、漏极、源极、栅极、保护环沟槽和保护环金属;所述氮化物缓冲层形成在所述衬底上;所述外延结构包括自下而上依次设置在所述氮化物缓冲层上的氮化物沟道层、氮化物插入层和氮化物势垒层。本发明由于在有源区和终端区之间设置保护环沟槽结构,使得有源区和终端区的外延结构电气隔离,同时保护环金属和源极电气连接,可以有效提升器件的静电防护能力和可靠性。

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