半导体集成电路及其修改方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410097434.4
IPC分类号：--
申请日期：
2004-11-15
申请人：
冲电气工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体集成电路及其修改方法
申请号	CN200410097434.4	申请日期	2004-11-15
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-09-14	公开/公告号	CN1667829
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	冲电气工业株式会社	申请人地址	日本东京港区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	冲电气工业株式会社	当前权利人	冲电气工业株式会社
发明人	黑木龙太
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

在功能块(A)和功能块(B)的集成电路之间的修改区域(50)中形成用以构成反相器单元的PMOS电路和NMOS电路。PMOS电路有漏极端子(26)、栅极端子(20)、源极端子(36)和P型活性部(24)。NMOS电路有漏极端子(28)、栅极端子(20)、源极端子(38)和N型活性部(30)。修改区域中除了上述构成要素以外，还形成用以输入来自功能块(A)的输出的输入端子(32)和用以向功能块(B)输出的输出端子(34)。该集成电路结构上的特征是形成于修改区域的缓冲器单元(52)是以这种电路图案构成：对输入端子(32)和输出端子(34)的位置以及PMOS电路和NMOS电路的安装形成不作变更，而通过金属布线层将PMOS电路的漏极端子和NMOS电路的漏极端子连接，且将输入端子和输出端子的连接部切断，从而可修改为反相器单元。能够仅修改一块用于形成金属布线层的曝光用掩模来变更集成电路的布图。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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