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具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物

发明专利无效专利

申请号：
CN01814918.9
IPC分类号：C09D183/16;C09D151/08;C09D153/00;C08L83/16;C08L33/06
申请日期：
2001-08-28
申请人：
克拉瑞特国际有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有低介电常数的多孔硅质膜和半导体装置及涂料组合物
申请号	CN01814918.9	申请日期	2001-08-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-15	公开/公告号	CN1449576
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09D183/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09D 涂料组合物，例如色漆、清漆或天然漆；填充浆料；化学涂料或油墨的去除剂；油墨；改正液；木材着色剂；用于着色或印刷的浆料或固体；原料为此的应用（化妆品入A61K，一般将液体或其他流动物料涂到表面上的方法入B05D；木材着色入B27K 5/02；釉料或搪瓷釉入C03C；天然树脂、虫胶清漆、干性油、催干剂、松节油本身入C09F；除虫胶清漆外的抛光组合物、滑雪屐蜡入C09G；黏合剂或用作黏合剂的物质入C09J；用于接头或盖的密封或包装材料入C09K 3/10；用于防止泄漏的材料入C09K 3/12；电解或电泳生成镀层的方法入C25D）〔5〕 C09D183/00 基于由只在主链中形成含硅的、有或没有硫、氮、氧或碳键反应得到的高分子化合物的涂料组合物；基于此种聚合物衍生物的涂料组合物〔5〕 C09D183/16 其中所有的硅原子与氧以外的原子连接〔5〕	IPC分类号	C;0;9;D;1;8;3;/;1;6;;;C;0;9;D;1;5;1;/;0;8;;;C;0;9;D;1;5;3;/;0;0;;;C;0;8;L;8;3;/;1;6;;;C;0;8;L;3;3;/;0;6查看分类表>
申请人	克拉瑞特国际有限公司	申请人地址	德国达姆施塔特变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	默克专利有限公司	当前权利人	默克专利有限公司
发明人	青木伦子;清水泰雄
代理机构	北京三幸商标专利事务所	代理人	刘激扬

摘要

一种多孔硅质膜，该膜稳定地显示低介电常数且机械强度和各种耐化学品性能均优异，可以承受CMP和其它集成电路的最新制造工艺并因此适用于中间层介电膜。此膜可通过烧制组合物的涂层而形成膜特征为相对介电常数小于2.5，该组合物包括聚烷基硅氮烷和聚丙烯酸酯或聚甲基丙烯酸酯。

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