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TFT阵列结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910196482.1
  • IPC分类号:G02F1/1362;G02F1/1368
  • 申请日期:
    2009-09-22
  • 申请人:
    上海天马微电子有限公司
著录项信息
专利名称TFT阵列结构及其制造方法
申请号CN200910196482.1申请日期2009-09-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-20公开/公告号CN102023439A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02F1/1362IPC分类号G;0;2;F;1;/;1;3;6;2;;;G;0;2;F;1;/;1;3;6;8查看分类表>
申请人上海天马微电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区汇庆路889号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海天马微电子有限公司当前权利人上海天马微电子有限公司
发明人黄贤军
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人李丽
摘要
一种TFT阵列结构及其制造方法,其中TFT阵列结构包括:基板;栅电极金属层、栅电极绝缘层、半导体层和欧姆接触层;第一绝缘层;源电极金属层和漏电极金属层以及二者之间的沟道;覆盖所述栅电极绝缘层并通过过孔与所述漏电极金属层连接的像素电极;像素电极与所述栅电极金属层构成存储电容的两极,所述存储电容的存储介质为单层结构或二层结构,可以比现有技术中的存储电容具有更大的电容存储能力。

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