使用双位线作电流读出的低功率非易失性存储单元

发明专利无效专利

申请号：
CN200580039345.7
IPC分类号：G11C16/04
申请日期：
2005-08-09
申请人：
爱特梅尔股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	使用双位线作电流读出的低功率非易失性存储单元
申请号	CN200580039345.7	申请日期	2005-08-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-24	公开/公告号	CN101061551
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/04 使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;4查看分类表>
申请人	爱特梅尔股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱特梅尔股份有限公司	当前权利人	爱特梅尔股份有限公司
发明人	B·洛耶克
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	李玲

摘要

一种可于低压工作的非易失性存储单元，其通过碰撞电离进行编程。碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管(11)的衬底(20)中限定一虚拟二极管(30)的电荷注入器(25)而产生。通过施加于电荷存储晶体管的推挽电压(－V，+V)(41，45)可对电荷源加偏压，而另一浮栅晶体管(13)则有助于所述电荷存储晶体管的电荷状态的读出。其它的晶体管可切换自一与一读出线(59)相关的读出晶体管(51)的电流，根据所述电荷存储晶体管的电荷状态可在两个位线(41，43)之间进行电流切换。换句话说，所切换的电流可出现于两个位线的其中之一，一个位线表示有存储电荷，而另一位线表示没有存储电荷，即数字0和数字1可在两个位线中明确地表示。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供