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半导体结构与其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610544100.X
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2016-07-12
  • 申请人:
    蔡佳勋;陈鼎钧;杨宏智;唐肇蔚;黄希哲;廖学专
著录项信息
专利名称半导体结构与其制造方法
申请号CN201610544100.X申请日期2016-07-12
法律状态撤回申报国家暂无
公开/公告日2018-01-19公开/公告号CN107611081A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人蔡佳勋;陈鼎钧;杨宏智;唐肇蔚;黄希哲;廖学专申请人地址
中国台湾新北市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人蔡佳勋,陈鼎钧,杨宏智,唐肇蔚,黄希哲,廖学专当前权利人蔡佳勋,陈鼎钧,杨宏智,唐肇蔚,黄希哲,廖学专
发明人蔡佳勋;陈鼎钧;杨宏智;唐肇蔚;黄希哲;廖学专
代理机构北京天平专利商标代理有限公司代理人孙刚
摘要
一种半导体结构与其制造方法,该半导体结构包含有:一基板、一沟槽以及一穿孔。基板具有一上表面与一下表面;沟槽与穿孔形成于基板的上表面;穿孔的一端具有一圆导角部。半导体结构制造方法包含以下步骤:准备一基板;于该基板上加工一盲孔;于该盲孔的孔缘形成一圆导角部;加工一沟槽至每一该盲孔的四周;以及切割该基板,以使该盲孔形成一穿孔;由此,相较于习知技术,本发明能降低热应力集中于硅导穿孔的现象,降低最大热应力值,降低硅导穿孔结构产生缺陷的机率,提升半导体结构的可靠度。

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