加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910080057.6
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2009-03-18
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的制备方法
申请号CN200910080057.6申请日期2009-03-18
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-09-22公开/公告号CN101840955A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司当前权利人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
发明人贾锐;李维龙;朱晨昕;陈晨;张培文;刘明;刘新宇;叶甜春
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人暂无
摘要
本发明公开了一种制备基于硅量子点超晶格结构的晶硅太阳能电池的方法,包括在晶硅基板正面和背面制备绒面结构,并将晶硅基板放置于扩散炉中进行扩散,形成双面PN结;混合硅颗粒与半导体氧化物颗粒,通过电子束蒸发至晶硅基板上,形成富Si的氧化物薄膜;对晶硅基板进行高温退火处理,形成Si量子点超晶格结构;对Si量子点超晶格结构进行掺杂,形成n型或者n+型Si量子点超晶格结构;在晶硅基板正面和背面生长Si3N4减反膜;采用丝网印刷在晶硅基板的背面印刷的正电极,并进行热处理固化;然后采用丝网印刷在晶硅基板的正面印刷的负电极,并进行热处理固化;合金退火,制备出基于硅量子点超晶格结构的晶硅电池。利用本发明,提高了晶硅电池的转换效率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供