HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710094265.2
IPC分类号：C23C16/30;C23C16/52;C23C16/50
申请日期：
2007-11-22
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

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专利名称	HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法
申请号	CN200710094265.2	申请日期	2007-11-22
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-05-27	公开/公告号	CN101440480
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/30 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;3;0;;;C;2;3;C;1;6;/;5;2;;;C;2;3;C;1;6;/;5;0查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海集成电路研发中心有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海集成电路研发中心有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	秦文芳;胡正军
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	陈平

摘要

本发明公开了一种HDPCVD工艺淀积介质膜时减少二氧化硅的方法，所述方法采用HDPCVD工艺淀积介质膜，在打开反应腔阀门的步骤中不通入氧气，在加热反应腔的步骤的前期不通入氧气，后期开始通入氧气。作为对本发明的改进，所述加热反应腔的步骤的后期的时间小于等于10秒，所述加热反应腔的步骤的后期通入氧气的流量小于等于100sccm。本发明在现有HDPCVD工艺淀积介质膜的基础上作了改进，使用改进后的本发明方法所形成的二氧化硅的厚度得到了明显下降。

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