一种LED集成光源

1.一种LED集成光源，其包括封装框架、电性焊接在该封装框架内的若干LED芯片以及设置在该封装框架上且覆盖该若干LED芯片的透明封装材料膜，该封装框架包括封装基板以及固定在该封装基板上的环氧玻璃纤维板，其特征在于，该封装基板包括裸铜平板热管以及设置在该平板热管外表面的镀层，该镀层从内而外依次包括亮铜层、镀镍层、镀银层以及防氧化层，该若干LED芯片直接焊接在该封装基板的防氧化层上。
2.如权利要求1所述的LED集成光源，其特征在于，该环氧玻璃纤维板通过耐高温粘结胶固定在该封装基板的防氧化层上，该封装材料膜的周边固定在该环氧玻璃纤维板远离该封装基板的一侧上。
3.如权利要求1所述的LED集成光源，其特征在于，该环氧玻璃纤维板包括第一膜层、与该第一膜层形状相同的第二膜层以及夹设在该第一膜层与该第二膜层之间的两个相对间隔设置的焊盘，该第一膜层开设有贯穿其自身的第一通孔以及两个形状一致的第二通孔，每个焊盘呈门形，该两个焊盘的一端延伸至该两个第二通孔的下方，该两个焊盘的中部部分延伸在该第一通孔内。
4.如权利要求1所述的LED集成光源，其特征在于，该镀镍层的厚度范围为
0.05~0.1μm。
5.如权利要求1所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层为纯银层，该防氧化层为银的掺杂物层。
6.如权利要求1或5所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层与该防氧化层的总体厚度范围为0.6~3.0μm。
7.如权利要求6所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层与该防氧化层的总体厚度范围为1.0~1.5μm。
8.如权利要求7所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层与该防氧化层的总体厚度为1.2μm。
9.如权利要求6所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层的厚度不低于1.0μm。
10.如权利要求9所述的LED集成光源，其特征在于，该镀银层与该防氧化层的总体厚度为1.2μm。

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