SiC陶瓷表面处理方法及其用途

发明专利无效专利

申请号：
CN201110211637.1
IPC分类号：B22D19/00;C04B41/85;C04B35/565;C04B37/00
申请日期：
2011-07-27
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	SiC陶瓷表面处理方法及其用途
申请号	CN201110211637.1	申请日期	2011-07-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-03-28	公开/公告号	CN102391015A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B22D19/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B22 铸造；粉末冶金 B22D 金属铸造；用相同工艺或设备的其他物质的铸造（塑料或塑性状态物质的成型入B29C；冶金工艺，添加到金属中物质的选择入C21，C22） B22D19/00 在制品上、制品内、制品周围铸造，该制品成为产品的一部分（B22D 23/04优先；铝热焊接入B23K 23/00；在基体上涂覆铸造熔融材料入C23C 6/00）	IPC分类号	B;2;2;D;1;9;/;0;0;;;C;0;4;B;4;1;/;8;5;;;C;0;4;B;3;5;/;5;6;5;;;C;0;4;B;3;7;/;0;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	刘桂武;乔冠军;王倩;王红洁;王继平;史忠旗;杨建锋
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	朱海临

摘要

本发明公开了一种SiC陶瓷表面处理方法及其用途，其特征在于，包括下述步骤：先清洗SiC陶瓷表面，然后制备TiH2膏剂，并在陶瓷表面涂敷TiH2膏剂，待干燥后，置于真空炉内热处理以使TiH2完全分解形成活性Ti，并使Ti与SiC反应在陶瓷体表面形成具有一定金属性和高稳定性的Ti(C，Si)复合陶瓷层。本发明可在SiC陶瓷-金属基复合材料或复合部件的制备或SiC陶瓷作为发热体或锅体在与熔融有色金属接触过程中，阻挡金属熔体对SiC陶瓷基体的熔解，或提高润湿性，改善界面结合，从而使得后续制备的复合材料或结构、焊接部件或与金属熔体接触的陶瓷部件具有高可靠性、使用寿命长等优点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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