加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

半导体结构及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010264790.X
  • IPC分类号:H01L29/51;H01L29/423;H01L21/28
  • 申请日期:
    2020-04-07
  • 申请人:
    长鑫存储技术有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构及其制作方法
申请号CN202010264790.X申请日期2020-04-07
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-10-12公开/公告号CN113497129A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/51IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人长鑫存储技术有限公司申请人地址
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人长鑫存储技术有限公司当前权利人长鑫存储技术有限公司
发明人平尔萱;周震
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人史治法
摘要
本发明涉及一种半导体结构及其制作方法。其中,半导体结构的制作方法包括:提供衬底,所述衬底内具有沟槽;于所述沟槽内形成第一导电层,所述第一导电层的顶部低于所述沟槽的顶部;于所述第一导电层上形成介质层;于所述介质层上形成第二导电层。本发明中,通过在第一导电层与第二导电层之间设置所述介质层,使第一导电层与第二导电层连通形成等电位,同时作为阻挡层防止第一导电层中的导电材料向第二导电层扩散。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供