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致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110745116.8
  • IPC分类号:C04B35/58;C04B35/622;C04B35/64;C04B35/645
  • 申请日期:
    2021-06-30
  • 申请人:
    中国人民解放军国防科技大学
著录项信息
专利名称致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷及其制备方法
申请号CN202110745116.8申请日期2021-06-30
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113233901A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/58IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;5查看分类表>
申请人中国人民解放军国防科技大学申请人地址
湖南省长沙市开福区砚瓦池正街47号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国人民解放军国防科技大学当前权利人中国人民解放军国防科技大学
发明人李端;李俊生;曾良
代理机构湖南兆弘专利事务所(普通合伙)代理人黄丽
摘要
本发明公开了一种致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷的制备方法,包括将锶钽氧氮化物陶瓷粉体与乙醇混合均匀,球磨后干燥并过筛,得到预烧结粉体,将预烧结粉体在加压、保护气氛或者在加压、真空条件下进行放电等离子烧结,烧结温度为1300℃~1400℃,经冷却,得到陶瓷初烧结体,将陶瓷初烧结体在氨气气氛、无压力条件下进行二次烧结,降温冷却后,得到致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷。本发明的制备方法时间短,制得的致密高纯锶钽氧氮化物陶瓷具有高纯度、高密度、高介电常数、低介电损耗的优点,有广泛的应用前景。

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