形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统

发明专利有效专利

申请号：
CN202110268041.9
IPC分类号：H01L23/528;H01L21/768;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
申请日期：
2021-03-12
申请人：
美光科技公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统
申请号	CN202110268041.9	申请日期	2021-03-12
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113410211A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/528 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕 H01L23/528 互连结构的布置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;5;1;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;8查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	J·D·格林利;C·G·埃莫;L·富马加利;J·D·霍普金斯;R·J·克莱因;C·W·佩茨;E·A·麦克蒂尔
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

本申请涉及形成微电子装置的方法，以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包括第一导电结构、阻挡结构、导电衬里结构和第二导电结构。所述第一导电结构在第一介电结构中的第一填充开口内。所述阻挡结构在所述第一介电结构中的所述第一填充开口内且竖直地上覆所述第一导电结构。所述导电衬里结构在所述阻挡结构上且在竖直地上覆所述第一介电结构的第二介电结构中的第二填充开口内。所述第二导电结构竖直地上覆所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构且水平地由所述第二介电结构中的所述第二填充开口内的所述导电衬里结构环绕。还描述存储器装置、电子系统和形成微电子装置的方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供