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一种单晶硅绒面结构的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010154626.X
IPC分类号：C30B33/10;C23F1/24;C23F1/02
申请日期：
2010-04-26
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种单晶硅绒面结构的制备方法
申请号	CN201010154626.X	申请日期	2010-04-26
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2011-11-09	公开/公告号	CN102234845A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/08 侵蚀〔5〕 C30B33/10 在溶液或熔体内〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;1;0;;;C;2;3;F;1;/;2;4;;;C;2;3;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京市经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	肖青平
代理机构	北京中博世达专利商标代理有限公司	代理人	申健

摘要

本发明提供了一种单晶硅绒面结构的制备方法，涉及太阳能应用技术领域，为能够有效减少绒面入射光的反射损失、提高绒面的形成速度而发明。所述单晶硅绒面的制备方法，包括：在硅片表面沉积离散的金属颗粒；利用氢氟酸和双氧水的混合溶液对所述沉积了金属颗粒的硅片进行腐蚀，在所述硅片表面形成绒面结构。本发明可用于太阳能电池的制作工艺中。

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