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控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810103811.9
  • IPC分类号:C23C16/40
  • 申请日期:
    2008-04-11
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法
申请号CN200810103811.9申请日期2008-04-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-08-27公开/公告号CN101250691
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/40IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人阮勇;谢丹;任天令;刘理天;林惠旺
代理机构暂无代理人暂无
摘要
控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法属于PZT薄膜制备技术领域,具体特征在于,以溶质摩尔浓度为0.14mol/L,四氢呋喃30ml,四-乙二醇二甲醚4ml,Pb为27%,Zr为55%,Ti为18%,制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜,衬底为1~8英寸,均匀性大于95%,厚度为1500埃。

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