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声学超晶格材料的制备和超高频声学器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN93109510.7
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1993-08-07
  • 申请人:
    南京大学
著录项信息
专利名称声学超晶格材料的制备和超高频声学器件
申请号CN93109510.7申请日期1993-08-07
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日1995-02-15公开/公告号CN1098823
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人南京大学申请人地址
江苏省南京市汉口路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南京大学当前权利人南京大学
发明人闵乃本;陈延峰
代理机构南京大学专利事务所代理人陈建和
摘要
本发明属新材料和新技术领域,在衬底材料上生长压电材料,选择压电材料(包括LiNbO3、LiTaO3、PbTiO3、BaTiO3、Li3BO7、SiO2、ZnO、PZT、TeO2、Bi12GeO20、Bi3TiO4等)和非压电介电材料(包括MgO、TiO2、SrTiO3、Al2O3等),利用MOCVD方法生长出两两组合的声学超晶格材料,亦可以压电材料中任意两种材料生长,其周期宽度0.1~3μm,周期数10~100。

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