一种提升内量子效率的LED外延生长方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710681969.3
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/20
申请日期：
2017-08-10
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种提升内量子效率的LED外延生长方法
申请号	CN201710681969.3	申请日期	2017-08-10
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-17	公开/公告号	CN107359224A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;2;0查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	徐平
代理机构	北京晟睿智杰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	于淼

摘要

本申请提供了一种提升内量子效率的LED外延生长方法，包括：在温度为750‑900℃，反应腔压力为800‑950mbar，通入50000‑55000sccm的NH3、50‑70sccm的TMGa、90‑110L/min的H2、1200‑1400sccm的TMAl、800sccm‑1050sccm的CP2Mg的条件下，生长一层AlGaN:Mg薄垒层，通过在多量子阱层靠近P型层的一侧引入AlGaN：Mg薄垒层，即形成不对称阱垒结构，用来抑制电子泄露出量子阱发光区，抑制电子漏电流的产生，并能有效推动空穴注入多量子阱层，增加多量子阱层的电子空穴对数量，增强发光辐射效率，从而提升LED的亮度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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