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制造半导体器件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110176037.X
  • IPC分类号:H01L21/3065;H01L21/335
  • 申请日期:
    2021-02-09
  • 申请人:
    住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学
著录项信息
专利名称制造半导体器件的方法
申请号CN202110176037.X申请日期2021-02-09
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-08-20公开/公告号CN113284799A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/3065
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人住友电气工业株式会社;国立大学法人东北大学申请人地址
日本大阪府大阪市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人住友电气工业株式会社,国立大学法人东北大学当前权利人住友电气工业株式会社,国立大学法人东北大学
发明人菅原健太;寒川诚二;大堀大介
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人王伟;高伟
摘要
本发明涉及制造半导体器件的方法,半导体器件包括衬底、在衬底上的包含镓的第一氮化物层以及在第一氮化物层上的包含硅的第二氮化物层,所述方法包括:产生包含氯原子或溴原子的气体的蚀刻剂;通过蚀刻剂相对于第一氮化物层选择性地去除第二氮化物层,在产生蚀刻剂时,通过气体的等离子体放电来产生蚀刻剂,在选择性地去除第二氮化物层中,防止等离子体放电时产生的紫外线照射第二和第一氮化物层,选择性地去除第二氮化物层包括在第一气氛下以第一压力蚀刻第二氮化物层,第一压力低于包含硅原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的硅化合物的第一饱和蒸汽压且高于包含镓原子和被包含在气体中的氯原子或溴原子的镓化合物的第二饱和蒸汽压。

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