加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

沟槽式功率半导体元件及其制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201110234133.1
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-08-16
  • 申请人:
    帅群微电子股份有限公司
著录项信息
专利名称沟槽式功率半导体元件及其制造方法
申请号CN201110234133.1申请日期2011-08-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-02-20公开/公告号CN102938414A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人帅群微电子股份有限公司申请人地址
中国台湾新北市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人帅群微电子股份有限公司当前权利人帅群微电子股份有限公司
发明人张渊舜;蔡依芸;涂高维
代理机构北京信慧永光知识产权代理有限责任公司代理人项荣;姚垚
摘要
本发明涉及一种沟槽式功率半导体元件及其制造方法,该沟槽式功率半导体元件包括一底材、多个沟槽、多个第一重掺杂区、至少一本体区、至少一源极掺杂区、一接触窗、一第二重掺杂区与一金属图案层;这些沟槽位于底材内;各个第一重掺杂区分别形成于相对应的沟槽的下方,并且互相连接形成一导电通道;在各个第一重掺杂区与相对应的沟槽之间分别具有一轻掺杂区,以阻止第一重掺杂区向上扩张;本体区环绕沟槽,并与第一重掺杂区间隔一预设距离;源极掺杂区位于本体区上方;接触窗位于底材的边缘处;第二重掺杂区位于接触窗的下方,并电性连接导电通道;金属图案层填入接触窗以电性连接第二重掺杂区。本发明可以简化制造流程,降低制作成本。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供