半导体处理的成膜装置和此装置的使用方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710149410.2
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/318;C23C16/44
申请日期：
2007-07-13
申请人：
东京毅力科创株式会社

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著录项信息

专利名称	半导体处理的成膜装置和此装置的使用方法
申请号	CN200710149410.2	申请日期	2007-07-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-16	公开/公告号	CN101106075
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	周保华;长谷部一秀
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明涉及一种成膜装置的使用方法，通过向处理容器的处理区域内供给第一成膜气体的第一成膜处理，在处理区域内，在第一处理基板上形成第一薄膜。从处理容器卸载第一处理基板之后，进行处理容器内的清洗处理。清洗处理包括在向处理区域内供给清洗气体的同时，通过激励机构产生清洗气体的等离子体的工序。接着，通过向处理区域内供给第二成膜气体的第二成膜处理，在处理区域内，在被处理基板上形成第二薄膜。第二成膜处理是在通过激励机构产生第二成膜气体的等离子体的同时进行的等离子体成膜处理。

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