加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

电子设备及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811024966.3
  • IPC分类号:H01L23/528;H01L21/768
  • 申请日期:
    2018-09-04
  • 申请人:
    爱思开海力士有限公司
著录项信息
专利名称电子设备及其制造方法
申请号CN201811024966.3申请日期2018-09-04
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-18公开/公告号CN109904142A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/528IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人爱思开海力士有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人爱思开海力士有限公司当前权利人爱思开海力士有限公司
发明人崔京洙
代理机构北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王建国;李琳
摘要
一种电子设备包括半导体存储器,其中所述半导体存储器包括:多个存储叠层,所述多个存储叠层在第一方向和第二方向上彼此相邻,所述第二方向与所述第一方向交叉;多个第一内衬层,所述多个第一内衬层覆盖在所述第二方向上彼此相邻的存储叠层的侧壁,所述多个第一内衬层在所述第二方向上延伸;多个第一气隙,所述多个第一气隙位于由所述第一内衬层覆盖的空间中,以及多个第二气隙,所述多个第二气隙位于在第一方向上彼此相邻的每对存储叠层之间,所述多个第二气隙在所述第二方向上延伸。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供