一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011460832.3
IPC分类号：G02B1/115;G02B1/14
申请日期：
2020-12-11
申请人：
中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司

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专利名称	一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法
申请号	CN202011460832.3	申请日期	2020-12-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-23	公开/公告号	CN112698430A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B1/115 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B1/00 按制造材料区分的光学元件（光学玻璃的成分入C03C 3/00）；用于光学元件的光学涂层 G02B1/10 对光学元件表面涂覆或对其进行表面处理后所产生的光学涂层（G02B1/08优先）〔1，2015.01〕 G02B1/11 抗反射涂层〔6，2015.01〕 G02B1/113 仅使用无机材料〔2015.01〕 G02B1/115 多层〔2015.01〕	IPC分类号	G;0;2;B;1;/;1;1;5;;;G;0;2;B;1;/;1;4查看分类表>
申请人	中材人工晶体研究院有限公司;北京中材人工晶体研究院有限公司	申请人地址	北京市朝阳区红松园1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中材人工晶体研究院有限公司,北京中材人工晶体研究院有限公司	当前权利人	中材人工晶体研究院有限公司,北京中材人工晶体研究院有限公司
发明人	张旭;钱纁;肖红涛;党参;滕祥红;张克宏;石岩
代理机构	北京柏杉松知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘继富;王春伟

摘要

本申请提供了一种ZnS基底长波红外增透保护膜及其制备方法，其中ZnS基底长波红外增透保护膜包括依次设置在所述ZnS基底上的ZnS膜层和Y2O3膜层；ZnS基底厚度：2‑15mm，各膜层的厚度为：ZnS膜层：80‑120nm，Y2O3膜层：1000‑1300nm，Y2O3膜层从内部到表面膜层结构逐渐变化。制备ZnS基底长波红外增透保护膜的方法，包括以下步骤：1)对ZnS基底进行抛光处理和表面处理；2)在所述ZnS基底上沉积ZnS膜层；3)在所述ZnS膜层上沉积Y2O3膜层，沉积开始时初始氧氩比为(2.8‑3.4)：35，在沉积过程中逐渐减小氧氩比，沉积结束时氧氩比为(0.6‑1.0)：35。通过所述方法制备而成的ZnS基底长波红外增透保护膜结构稳定性好，且在波长7.0‑9.5μm的波段内平均透过率高。

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