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一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910604429.4
  • IPC分类号:C04B35/56;C04B35/571;C04B35/577;C04B35/622;C08G81/00
  • 申请日期:
    2019-07-05
  • 申请人:
    中国科学院化学研究所
著录项信息
专利名称一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体及其制备方法
申请号CN201910604429.4申请日期2019-07-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-10-22公开/公告号CN110357632A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/56IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;6;;;C;0;4;B;3;5;/;5;7;1;;;C;0;4;B;3;5;/;5;7;7;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;8;G;8;1;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院化学研究所申请人地址
北京市海淀区中关村北一街2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院化学研究所当前权利人中国科学院化学研究所
发明人赵彤;邱文丰;孙娅楠;韩伟健;叶丽;陈凤华
代理机构北京元中知识产权代理有限责任公司代理人李达宽
摘要
本发明公开了一种ZrC/SiC复相陶瓷前驱体及其制备方法,所述前驱体以非极性聚锆氧烷为锆源,改性酚醛为碳源,聚碳硅烷为硅源反应制备而成;所述改性酚醛中的部分羟基被醚化,且含有碳碳不饱和官能团。制备方法则在非极性聚锆氧烷制备过程中施加高温预聚,并使锆源与碳源在一定温度下混合反应制得ZrC前驱体。本发明通过选择含有不饱和官能团和羟基被醚化的酚醛作为碳源,同时对锆源进行特定处理,使得聚锆氧烷中残留的Zr‑OR结构含量下降,提高了碳化锆前驱体的稳定性,从而进一步提高了复相陶瓷前驱体在常温下的贮存性。

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