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半导体发光芯片

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201620318116.4
  • IPC分类号:H01L33/48;H01L33/62
  • 申请日期:
    2016-04-15
  • 申请人:
    深圳大道半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体发光芯片
申请号CN201620318116.4申请日期2016-04-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/48IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2查看分类表>
申请人深圳大道半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区南头街道深南10128南山数字文化产业基地西塔508-3 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳大道半导体有限公司当前权利人深圳大道半导体有限公司
发明人李刚
代理机构深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)代理人林俭良;张秋红
摘要
本实用新型提供一种半导体发光芯片,包括衬底,在衬底第一表面有—至少包括n型导电层、发光层和p型导电层的半导体叠层,半导体叠层表面至少有一裸露出部分n型导电层的n型电极槽位;半导体发光芯片的部分或全部裸露的、具导电性的表面和侧面被至少一绝缘层所包裹;绝缘层表面设有裸露的至少一p型电极和至少一n型电极;p型电极和n型电极贯穿绝缘层分别与p型导电层和n型导电层导电连接;裸露在绝缘层表面的p型电极的位置处设有p型焊垫;裸露在绝缘层表面的n型电极的位置处设有n型焊垫;至少一p型焊垫和/或至少一n型焊垫向半导体发光芯片的外侧侧表面延伸形成侧焊垫。本实用新型焊接方便、焊接粘着性好,电阻热阻低、制造成本低。

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