用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片

发明专利无效专利

申请号：
CN201380041098.9
IPC分类号：--
申请日期：
2013-06-11
申请人：
欧司朗光电半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片
申请号	CN201380041098.9	申请日期	2013-06-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-08	公开/公告号	CN104508840A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	欧司朗光电半导体有限公司	申请人地址	德国雷根斯堡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	欧司朗光电半导体有限公司	当前权利人	欧司朗光电半导体有限公司
发明人	约阿希姆·赫特功;洛伦佐·齐尼;简-菲利普·阿尔;亚历山大·弗里
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	丁永凡;李德山

摘要

在至少一个实施方式中，设立用于制造光电子半导体芯片(1)的方法。该方法以给出的顺序至少包括下述步骤：A)提供具有生长侧(20)的生长衬底(2)；B)在生长侧(20)上沉积至少一个基于AlxGa1‑xOyN1‑y的成核层(3)；C)沉积并且结构化掩膜层(4)；D)可选地，在成核层(3)上在不由掩膜层(4)遮盖的区域中生长基于GaN的生长层(5)；E)在不由掩膜层(4)遮盖的区域中部分地移除成核层(3)和/或生长层(5)或者在成核层(3)上或在生长层(5)上在不由掩膜层(4)遮盖的区域中施加第二掩膜层(7)；以及F)生长具有至少一个有源层(65)的基于AlInGaN的半导体层序列(6)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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