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高集成度柔性薄膜温差电池的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410364127.1
  • IPC分类号:H01L35/34
  • 申请日期:
    2014-07-28
  • 申请人:
    中国电子科技集团公司第十八研究所
著录项信息
专利名称高集成度柔性薄膜温差电池的制作方法
申请号CN201410364127.1申请日期2014-07-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-10公开/公告号CN105322088A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L35/34IPC分类号H;0;1;L;3;5;/;3;4查看分类表>
申请人中国电子科技集团公司第十八研究所申请人地址
天津市西青区海泰工业园华科七路6号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国电子科技集团公司第十八研究所当前权利人中国电子科技集团公司第十八研究所
发明人张丽丽;阎勇;刘静榕;郭金娟
代理机构天津市鼎和专利商标代理有限公司代理人李凤
摘要
本发明涉及一种高集成度柔性薄膜温差电池的制作方法,其特点是:步骤依次包括:制作图形相互对应的冷端导电层、N/P型温差电单体、冷热端导电层间绝缘层和热端导电层的微区光刻掩模板;利用光刻掩模板在微米级聚酰亚胺薄膜上制作冷端导电层及冷端导电层输出端口;制作N/P型温差电单体;制作冷热端导电层间绝缘层;制作热端导电层;封装。本发明选用微米级聚酰亚胺薄膜作为电池的绝缘基体,在保证电池具有良好柔韧性的基础上,采用微区用光刻掩模板,通过物理磁控溅射与微电子光刻相结合的方法,将多层材料集成为一体,在0.1cm2~10cm2面积上集成几百对~几万对P‑N单体,有效提高了电池的集成度,大幅提高了电池电输出性能。

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