一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011130690.4
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
申请日期：
2020-10-21
申请人：
厦门乾照光电股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法
申请号	CN202011130690.4	申请日期	2020-10-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-22	公开/公告号	CN112259651A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	厦门乾照光电股份有限公司	申请人地址	福建省厦门市火炬高新区（翔安）产业区翔天路259-269号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	厦门乾照光电股份有限公司	当前权利人	厦门乾照光电股份有限公司
发明人	万志;卓祥景;尧刚;程伟;林志伟
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李晓光

摘要

本发明提供了一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法，通过在多量子阱结构和P型电子阻挡层之间生长一间断掺杂的P型插入层，从而通过调整极化电场，增强空穴迁移能力，达到增加空穴注入的目的；同时，P型插入层能增加电子有效势垒高度，减少电子泄漏，从而让载流子在量子阱中有效复合，提高LED的整体发光性能，此外，P型插入层的间断掺杂设计能够增加LED芯片的电流扩展以及抗静电击穿能力，从而可延长LED芯片的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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