共射共基电路和半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200710089711.0
IPC分类号：H02M3/156
申请日期：
2007-03-27
申请人：
精工电子有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	共射共基电路和半导体装置
申请号	CN200710089711.0	申请日期	2007-03-27
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-03	公开/公告号	CN101047336
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H02M3/156 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H02 发电、变电或配电 H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节（专用于没有可动部件的电子时钟的电流或者电压的变换入G04G 19/02；调节电或磁变量的系统，例如用变压器、电抗器、或扼流圈及这种系统与静止变换器的组合，一般入G05F；用于数字计算机的入G06F 1/00；变压器入H01F；与类似的或其他供电电源联合运行的一个变换器的连接或控制入H02J；机电变换器入H02K 47/00；控制变压器、电抗器或扼流圈、电动机、发电机或机电变换器的控制调节入H02P；脉冲发生器入H03K）〔4，5〕 H02M3/00 直流功率输入变换为直流功率输出 H02M3/02 没有中间变换为交流的 H02M3/04 用静态变换器的 H02M3/10 应用有控制极的放电管或有控制极的半导体器件的（H02M 3/07优先）〔4〕 H02M3/145 应用需要连续使用控制信号的三极管或晶体管式的器件的〔2〕 H02M3/155 仅用半导体器件的〔2〕 H02M3/156 带有自动控制输出电压或电流的，例如开关调节器〔4〕	IPC分类号	H;0;2;M;3;/;1;5;6查看分类表>
申请人	精工电子有限公司	申请人地址	日本千叶县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	艾普凌科有限公司	当前权利人	艾普凌科有限公司
发明人	井村多加志
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘杰;刘宗杰

摘要

本发明提供了一种具有高的电源抑制比且可以工作于低电压的参考电压电路。该参考电压电路包括偏置电路，构造成使得耗尽型晶体管(3)串联连接到负载电路的电源电压供给端，用于检测流过该负载电路以作为电流源工作的增强型MOS晶体管(4)连接到该负载电路，耗尽型MOS晶体管(5)串联连接到该晶体管(4)，且晶体管(5)的栅极端连接到晶体管(5)的源极端，其中耗尽型晶体管(3)的栅极端连接到耗尽型晶体管(5)的源极端。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供