一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811525715.3
IPC分类号：H01L31/07;H01L31/0336;H01L31/18;B82Y10/00;B82Y30/00
申请日期：
2018-12-13
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池及其制备方法
申请号	CN201811525715.3	申请日期	2018-12-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-17	公开/公告号	CN109768111A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/07 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/04 用作光伏〔PV〕转换器件（制造中其测试入H01L21/66；制造之后其测试入H02S50/10）的〔2，2014.01〕 H01L31/06 以至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的为特征的〔2，2012.01〕 H01L31/07 只是肖特基型势垒的〔5，2012.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;1;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	张曙光;林永鑫;李国强;温雷
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	王东东

摘要

本发明公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池，由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。所述GaAs纳米柱高度为500‑3000nm,直径为15～100nm。本发明还公开了一种GaAs纳米柱‑石墨烯肖特基结太阳能电池的制备方法。本发明通过生长纳米柱，增大肖特基结的面积，提高光的利用效率，实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单，成本低。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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