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单层电容器元件的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200410075380.1
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2004-08-31
  • 申请人:
    梁颖光;庄严
著录项信息
专利名称单层电容器元件的制备方法
申请号CN200410075380.1申请日期2004-08-31
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-03-30公开/公告号CN1601673
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人梁颖光;庄严申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人梁颖光,庄严当前权利人梁颖光,庄严
发明人梁颖光;庄严
代理机构广州知友专利商标代理有限公司代理人马丽丽
摘要
本发明公开了一种单层电容器元件的制造方法及其产品,它以真空高能溅射方式将金属原子在高能电场下直接附着于陶瓷介质表面,克服了厚膜印刷电路方式所存在的中间过渡层或者穿孔连接不可靠等问题,因此其产品与其它同类产品相比串联等效电阻低,在微波高频下的性能好,从几个GHz到几十个GHz的频率都有优秀的性能表现。由于还采用了光刻技术,因此所制之元件精度高。本发明制作之单层电容器元件非常适用于高频、微波、小型、微型化的场合,例如,微波功率放大器、模块——包括蓝牙技术模块、混合集成电路模块、封装于集成电路之封装内的集成电路外贴元件、手机电路模块、无线电微波通讯模块等,是军用、民用的高可靠性产品。

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