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基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910820221.6
  • IPC分类号:G02B5/00;G02B5/20
  • 申请日期:
    2019-09-01
  • 申请人:
    桂林电子科技大学
著录项信息
专利名称基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器
申请号CN201910820221.6申请日期2019-09-01
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2019-12-17公开/公告号CN110579826A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B5/00IPC分类号G;0;2;B;5;/;0;0;;;G;0;2;B;5;/;2;0查看分类表>
申请人桂林电子科技大学申请人地址
广西壮族自治区桂林市桂林金鸡路1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人桂林电子科技大学当前权利人桂林电子科技大学
发明人肖功利;张开富;杨宏艳;杨秀华;杨寓婷;李海鸥;张法碧;傅涛;李琦;刘兴鹏
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了基于MIM矩形腔阵列结构的表面等离子体滤波器。在本发明实例中,金属薄膜采用金属银材料制成,整体为矩形的金属薄膜,主要包括金属膜以及开设在金属膜上的矩形阵列结构。该矩形腔阵列由入射波导、中间波导和出射波导组成。谐振腔由单元结构为矩形的阵列构成,每个矩形腔可以形成一个F‑P腔。通过调控矩形个数n、波导的宽度W、矩形腔的长度L等几何参数,实现对光波进行一个或者多个不同波长的光波滤波,和阻带宽度的有效调节。对比与其他结构的SPPs滤波器而言,这个结构拥有着更简洁的工艺以及较小的能量损耗,可以作为简单的光学设备应用于高集成的光电集成电路中。

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