一种高硅b‑取向ZSM‑5纳米片的合成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610523697.X
IPC分类号：C01B39/40
申请日期：
2016-07-06
申请人：
华东师范大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种高硅b‑取向ZSM‑5纳米片的合成方法
申请号	CN201610523697.X	申请日期	2016-07-06
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-12-07	公开/公告号	CN106185978A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B39/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B39/00 具有分子筛和碱交换特性的化合物，如结晶沸石；其制备；后处理，如离子交换或脱铝作用（用黏合剂处理以改变其吸附性能，例如成形入B01J 20/10；改变其催化特性的处理，例如使沸石适用于作催化剂的各种处理入B01J 29/04；改进离子交换特性的处理入B01J 39/14）〔6〕 C01B39/02 结晶硅酸铝沸石；其同晶化合物；其直接制备方法；以含另一类结晶沸石的反应混合物或以预成形的反应物作原料的制备方法；其后处理〔6〕 C01B39/36 Pentasil型，如ZSM-5、ZSM-8或ZSM-11型〔6〕 C01B39/38 ZSM-5型〔6〕 C01B39/40 用至少一种有机模板定向剂〔6〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;9;/;4;0查看分类表>
申请人	华东师范大学	申请人地址	上海市闵行区东川路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华东师范大学	当前权利人	华东师范大学
发明人	陈丽;丁键;施宗波;吴海虹;何鸣元
代理机构	上海蓝迪专利商标事务所（普通合伙）	代理人	徐筱梅;张翔

摘要

本发明公开了一种高硅b‑取向ZSM‑5纳米片的合成方法，其特点是将铝源与氨水、无机盐和水混合，搅拌后缓慢滴加硅源，然后均速加入模板剂和晶种，在120~190 oC温度下晶化反应24~48小时，反应结束后经过滤、干燥得具有高硅b‑取向的ZSM‑5纳米片。本发明与现有技术相比具有高活性、晶粒超薄、高硅b‑取向、硅铝比可调、厚度可控、晶体完美和水热稳定性强的ZSM‑5纳米片，较好的克服了制备纳米片沸石催化剂需使用特定结构、价格昂贵的结构导向剂或二次模板剂，降低了制备成本，合成产率高，具有一定的工业化运用前景和显著的经济价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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