化合物半导体发光器件及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96104423.3
IPC分类号：--
申请日期：
1996-03-27
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	化合物半导体发光器件及其制备方法
申请号	CN96104423.3	申请日期	1996-03-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1996-12-11	公开/公告号	CN1137690
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	三浦祥纪;松原秀树;松岛政人;关寿;纐缬明伯
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	董江雄;萧掬昌

摘要

一种化合物半导体发光器件包括：GaAs衬底；形成在衬底上的包括GaN的缓冲层，其厚度为10nm至80nm；形成在缓冲层上的包括AlGaN(0≤x＜1)的外延层；位于缓冲层和外延层之间的界面上的极薄的平面；形成在外延层上的发光层；以及形成在发光层上的覆盖层。在第一温度下通过有机金属氯化物气相外延形成缓冲层，而在高于第一温度的第二温度下通过有机金属氯化物气相外延形成外延层。最好包括InGaN(0＜y＜1)的发光层掺有Mg。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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