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一种硅基太阳能薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910111541.0
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/208
申请日期：
2009-04-17
申请人：
南安市三晶阳光电力有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种硅基太阳能薄膜的制备方法
申请号	CN200910111541.0	申请日期	2009-04-17
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-30	公开/公告号	CN101764178A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;8查看分类表>
申请人	南安市三晶阳光电力有限公司	申请人地址	福建省南安市霞美镇光电信息产业基地变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南安市三晶阳光电力有限公司	当前权利人	南安市三晶阳光电力有限公司
发明人	张伟娜;郑智雄;南毅;马殿军;王致绪;邹予;赵志跃;戴文伟
代理机构	厦门市首创君合专利事务所有限公司	代理人	张松亭

摘要

一种硅基太阳能薄膜的制备方法，属于半导体材料及太阳能电池材料领域。该方法包括以下步骤：首先将溶剂合金溶解，然后将6N高纯硅料溶解于溶剂中，再将纯度小于6N的衬底硅片置于溶液内，降温，使高纯硅料外延生长于硅片上；10-20h后，将硅片载体缓慢提升出液面，冷却后将硅片取出。采用本发明的方法可将4-5N衬底硅片表面外延生长出所需厚度的6N硅薄膜。

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