单光子光源元件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310410729.1
IPC分类号：H01L33/02;H01L33/04;H01L33/00
申请日期：
2013-09-11
申请人：
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	单光子光源元件及其制造方法
申请号	CN201310410729.1	申请日期	2013-09-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-03-18	公开/公告号	CN104425659A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司	当前权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司
发明人	邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟
代理机构	深圳市鼎言知识产权代理有限公司	代理人	徐丽昕

摘要

一种单光子光源元件制造方法，包括以下步骤：提供一前驱体，该前驱体包含一基板及在该基板上依次生长的一未掺杂的低温GaN层、一未掺杂的高温GaN层、一N型GaN层、一量子阱层和一结构层；蚀刻所述前驱体的结构层、量子阱层和N型GaN层并形成楔形结构的阵列和一平面区；蚀刻楔形结构为柱状结构；在NH3气氛中热处理，使量子阱层转变为量子点层；在柱状结构侧面及柱状结构之间的N型GaN层的上表面生长一高介电层；在柱状结构的顶面所在平面之上依次生长一P型GaN层和一ITO层；在ITO层上和平面区上分别设置电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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