一种基于介质基超构材料的F-P腔天线及电子设备

发明专利有效专利

申请号：
CN202110542444.8
IPC分类号：H01Q15/00;H01Q15/14
申请日期：
2021-05-18
申请人：
西北工业大学深圳研究院;西北工业大学

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专利名称	一种基于介质基超构材料的F-P腔天线及电子设备
申请号	CN202110542444.8	申请日期	2021-05-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113285233A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q15/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q15/00 用于对天线辐射波进行反射、折射、绕射或极化的装置，例如准光学装置（用于改变方向性的可变装置入H01Q 3/00；用于引导电波的此种装置的构成入H01P 3/20；用于调制的可变装置入H03C 7/02）〔1，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;Q;1;5;/;0;0;;;H;0;1;Q;1;5;/;1;4查看分类表>
申请人	西北工业大学深圳研究院;西北工业大学	申请人地址	广东省深圳市南山区高新南九道45号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北工业大学深圳研究院,西北工业大学	当前权利人	西北工业大学深圳研究院,西北工业大学
发明人	张富利;蔡伟奇;樊元成;付全红;杨蕤生;杨帆
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	屠沛

摘要

本发明提供了一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线及电子设备，解决传统腔天线体积大、工作频率难以调节的问题。一种基于介质基超构材料的F‑P腔天线包括平行设置的上基板和下基板；上基板和下基板构成一个腔体，且两者之间的距离可调；上基板的上表面设置有近零折射结构覆层，下表面设置有介质基相位调控反射层；其中，介质基相位调控反射层包括周期性排列的介质基相位调控反射单元；下基板的上表面设置有馈源天线和金属基相位调控反射层，下表面设置有金属地板结构；馈源天线位于中部，金属基相位调控反射层位于馈源天线的外侧；金属基相位调控反射层包括周期性排列的金属贴片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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