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具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810236734.4
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2008-12-09
  • 申请人:
    武汉华灿光电有限公司
著录项信息
专利名称具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片
申请号CN200810236734.4申请日期2008-12-09
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2009-06-03公开/公告号CN101447546
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人武汉华灿光电有限公司申请人地址
江苏省苏州市张家港经济开发区晨丰公路华灿光电(苏州)有限公司 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华灿光电(苏州)有限公司当前权利人华灿光电(苏州)有限公司
发明人张建宝;林波涛
代理机构武汉帅丞知识产权代理有限公司代理人朱必武;曾祥斌
摘要
一种具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片,包括衬底、n极区域、活性层和p极区域,在n极区域上设有N电极,在p极区域上设有P电极和电流扩散层,在电流扩散层上设有保护层,其特征在于:光子晶体侧向光提取器由柱阵列组成,所述柱阵列贯穿p极区域、活性层和n极区域直至衬底表面,所述光子晶体侧向光提取器包括芯片四周柱阵列,N电极和P电极间电流扩散层保持导电的通路。由于光子晶体侧向光提取器(光子晶体阵列)的设置,修正光的角度,使更多侧面的光投射到外面,从而大幅度地提高LED的外部量子效率。克服了芯片取光效率低、应力集中、发热量大且散热效果不佳的问题。从而使生产出来的LED性能更加稳定,发光亮度更大。

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