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一种LPCVD沉积炉管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201420764903.2
  • IPC分类号:C23C16/455
  • 申请日期:
    2014-12-05
  • 申请人:
    上海微世半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种LPCVD沉积炉管
申请号CN201420764903.2申请日期2014-12-05
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/455IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;4;5;5查看分类表>
申请人上海微世半导体有限公司申请人地址
上海市奉贤区南桥镇沿江路752号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海微世半导体有限公司当前权利人上海微世半导体有限公司
发明人丁波;李轶;陈瀚;侯金松
代理机构上海胜康律师事务所代理人张坚
摘要
本实用新型公开一种LPCVD沉积炉管,包括管体以及设于管体内的载片支架,所述管体一端具有进气口,另一端具有出气口,所述管体内还设有内壳,所述载片支架位于所述内壳内,所述内壳上均匀分布有通孔。本实用新型可使LPCVD反应腔中的气体均匀的进入载片舟中,使得沉积薄膜厚度一致。

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