一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法及装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910924203.2
IPC分类号：G01N23/207;G01N23/20016
申请日期：
2019-09-27
申请人：
中国科学院高能物理研究所;中国科学院北京综合研究中心

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专利名称	一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法及装置
申请号	CN201910924203.2	申请日期	2019-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-12-27	公开/公告号	CN110618152A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N23/207 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N23/14 （转入G01N 23/083-G01N 23/087， G01N 23/12） G01N23/20 利用材料辐射的衍射，例如，用于测试晶体结构；利用材料辐射的散射，例如测试非晶材料；利用材料辐射的反射〔1，2006.01，2018.01〕 G01N23/207 衍射，例如，利用处于中心位置的一个探针以及安放在周围的一个或多个可移动的检测器〔2，2006.01，2018.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;3;/;2;0;7;;;G;0;1;N;2;3;/;2;0;0;1;6查看分类表>
申请人	中国科学院高能物理研究所;中国科学院北京综合研究中心	申请人地址	北京市石景山区玉泉路19号乙变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院高能物理研究所,中国科学院北京综合研究中心	当前权利人	中国科学院高能物理研究所,中国科学院北京综合研究中心
发明人	黎刚;易栖如;赵越;张杰;王艳萍;姜晓明
代理机构	北京天达知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	李明里

摘要

本发明涉及一种衍射消光成像测量取向和应变分布的方法，属于材料取向和应变分布测量技术领域，解决了现有技术中测量效率低、难以大面积测量的问题。该方法包括以下步骤：用单色准平行的X射线照射待测准单晶平板样品，在采样旋转角度范围内，采集待测准单晶平板样品产生的消光像信息及对应的旋转角度，消光像信息包括消光像中像素点的光强；根据像素点的光强及对应的旋转角度确定像素点的摇摆曲线；根据像素点摇摆曲线获得像素点对应位置的晶粒取向和应变，从而获得待测准单晶平板样品发生衍射的晶面的晶粒取向分布和第二类应变分布。该方法可快速、高效、大面积测量材料的晶粒取向分布和第二类应变分布，且操作简单、误差小、测量结果精度高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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