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硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN01133846.6
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2001-12-24
  • 申请人:
    富士通株式会社
著录项信息
专利名称硅基组合物、低介电常数膜、半导体器件以及制造低介电常数膜的方法
申请号CN01133846.6申请日期2001-12-24
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2002-10-30公开/公告号CN1376740
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人富士通株式会社申请人地址
日本神*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士通株式会社当前权利人富士通株式会社
发明人中田义弘;铃木克己;杉浦严;矢野映
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人庞立志;王其灏
摘要
一种组合物,包含硅氧烷树脂、基本上由硅、碳和氢构成的硅化合物,其中在一分子的主链中形成-X-键的碳与硅原子数之比范围为2∶1~12∶1,其中X是(C)m,其中m是1~3的整数,或者9个或更少碳原子的取代或未取代的芳香族基团,和溶剂,对该组合物进行热处理以形成低介电常数膜。因此,提供了一种具有优异的耐化学品性和优异的耐潮性的低介电常数膜。通过采用该膜可制造出能快速响应的半导体集成电路。

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