一种OTPEPROM读取电路

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020658047.4
IPC分类号：G11C17/08
申请日期：
2010-12-14
申请人：
苏州华芯微电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种OTPEPROM读取电路
申请号	CN201020658047.4	申请日期	2010-12-14
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C17/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C17/00 只可一次编程的只读存储器；半永久存储器，例如，手动可替换信息卡片的（可擦的可编程序只读存储器入G11C 16/00；编码；译码或代码转换一般入H03M）〔2，5〕 G11C17/08 应用半导体器件的，例如，双极性元件（G11C 17/06，G11C 17/14优先）〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;7;/;0;8查看分类表>
申请人	苏州华芯微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省苏州市高新区向阳路198号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州华芯微电子股份有限公司	当前权利人	苏州华芯微电子股份有限公司
发明人	江猛;张姗;谢卫国;杜坦
代理机构	北京华夏博通专利事务所	代理人	孙东风

摘要

一种OTP EPROM读取电路，包括第一～五场效应管，二输入与非们，第一、二非门，D触发器及OTP cell单元，第一场效应管源极接VDD，栅极与第二、第五场效应管栅极连接后再接READ_EN信号，漏极接第二、三场效应管源极，第三场效应管漏极与第四、五场效应管源极连接后再接Data信号，第四场效应管源极接VDD，第五场效应管漏极接地，二输入与非门一输入为READ_EN信号，另一输入为Data信号，二输入与非门输出接第三、四场效应管栅极，DATA信号接OTP cell，第一非门输入端接第一、二场效应管漏极及第三场效应管源极，第一非门输出接第二非门输入端，第二非门输出端接D触发器D端，D触发器的clk端接CLK信号，输出Q端接OUT信号。本实用新型可同时保证OTP cell的寿命和读取模式下的抗干扰能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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