发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010290421.4
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/00
申请日期：
2010-09-23
申请人：
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

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专利名称	发光二极管封装基板及发光二极管封装结构的形成方法
申请号	CN201010290421.4	申请日期	2010-09-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102412360A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司	当前权利人	展晶科技（深圳）有限公司,荣创能源科技股份有限公司
发明人	胡必强;张超雄;方荣熙
代理机构	深圳市鼎言知识产权代理有限公司	代理人	叶小勤

摘要

一种发光二极管封装基板，其包括相对的上表面和下表面。所述上表面和下表面分别形成多条相交的切割线，所述切割线将所述发光二极管封装基板分割成多个单片。所述切割线的交点处形成有贯通所述基板上下表面的通孔，所述通孔内壁靠近所述发光二极管封装基板的上表面及下表面的两端沿所述切割线分别开设有切口。本发明的发光二极管封装基板在上下表面分别预切割有切割线，并且在上下表面上沿所述切割线分别开设有切口，从而在剥离过程中，有利于应力的传递，剥离更容易，剥离后的发光二极管封装结构的边缘更规则，良率比较高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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