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具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610097758.0
  • IPC分类号:H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
  • 申请日期:
    2016-02-23
  • 申请人:
    华灿光电股份有限公司
著录项信息
专利名称具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法
申请号CN201610097758.0申请日期2016-02-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-06-01公开/公告号CN105633228A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/06IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人华灿光电股份有限公司申请人地址
湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华灿光电股份有限公司当前权利人华灿光电股份有限公司
发明人孙玉芹;董彬忠;王江波
代理机构北京三高永信知识产权代理有限责任公司代理人徐立
摘要
本发明公开了一种具有新型量子垒的发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管领域。所述发光二极管外延片包括:衬底,以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层,所述多量子阱有源层包括交替生长的M+N个量子阱层和M+N个量子垒层,所述量子阱层为InGaN阱层;其特征在于,所述M+N个量子垒层中靠近所述N型GaN层的M个所述量子垒层为Alx1Ga1‑x1N/GaN结构,所述M+N个量子垒层中靠近所述P型GaN载流子层的N个所述量子垒层为Alx2Ga1‑x2N/GaN结构,M和N均为大于1的正整数,且M与N的差值为0或1,0<x1<1,0<x2<1,且x1大于x2。

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