万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN96109872.4
IPC分类号：--
申请日期：
1996-09-25
申请人：
中国科学院微电子中心

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著录项信息

专利名称	万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
申请号	CN96109872.4	申请日期	1996-09-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1997-05-07	公开/公告号	CN1149200
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院微电子中心	申请人地址	北京市德胜门外祁家豁子变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子中心	当前权利人	中国科学院微电子中心
发明人	黄令仪;陈晓东;朱亚江
代理机构	北京申翔知识产权服务公司专利代理部	代理人	颜涛

摘要

本万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法包括下列步骤：依据集成电路逻辑功能，确定晶体管的长宽比值；选择时序元件，建立内部基本单版图库及I/O单元库；进行逻辑模拟、布局、布线；预埋多个延迟元件；工艺加工和测试分析；以及用预埋延迟元件，调整时序。本方法使库的负载能和性能良好，版图面积得到优化。由于预埋了延迟元件，即使工艺流程结束后发现了局部时序出错，也只需修改少数掩膜版和工序，就可完成电路制造，因而降低了制造成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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