激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201980065097.5
IPC分类号：H01L21/301;B23K26/00;B23K26/53;B24B7/00;B24B49/12
申请日期：
2019-10-02
申请人：
浜松光子学株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置
申请号	CN201980065097.5	申请日期	2019-10-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-14	公开/公告号	CN112805811A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/301 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/301 把半导体再细分成分离部分，例如分隔（切割入H01L 21/304）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;1;;;B;2;3;K;2;6;/;0;0;;;B;2;3;K;2;6;/;5;3;;;B;2;4;B;7;/;0;0;;;B;2;4;B;4;9;/;1;2查看分类表>
申请人	浜松光子学株式会社	申请人地址	日本静冈县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浜松光子学株式会社	当前权利人	浜松光子学株式会社
发明人	坂本刚志;铃木康孝;佐野育
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	杨琦

摘要

检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠近正面的第1改性区域与最靠近第1改性区域的第2改性区域之间的检查区域中是否存在从1改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端。物镜使焦点从背面侧对焦到检查区域内。光检测部检测在半导体衬底中从正面侧向背面侧传播的光。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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