基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201621371111.4
IPC分类号：H03K3/012;H03K3/356
申请日期：
2016-12-14
申请人：
浙江大学城市学院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器
申请号	CN201621371111.4	申请日期	2016-12-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K3/012 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K3/00 用于产生电脉冲的电路；单稳态，双稳态或多稳态电路（H03K 4/00优先；用于计算机的数字函数发生器入G06F 1/02）〔5〕 H03K3/01 零部件〔3〕 H03K3/012 为改善响应时间或减少功率损耗而对发生器的改进〔6〕	IPC分类号	H;0;3;K;3;/;0;1;2;;;H;0;3;K;3;/;3;5;6查看分类表>
申请人	浙江大学城市学院	申请人地址	浙江省杭州市湖州街50号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学城市学院	当前权利人	浙江大学城市学院
发明人	胡晓慧;杭国强;杨旸;章丹艳;周选昌;刘承成
代理机构	杭州九洲专利事务所有限公司	代理人	张羽振

摘要

本实用新型公开一种于浮栅MOS管的差分型单边沿T触发器，包括输入控制结构、差分结构的主触发器和差分结构的从触发器。本实用新型的有益效果是：输入控制结构由简单的组合逻辑电路组成。电路利用了浮栅MOS管所具有的阈值易于控制这一自然属性，无需增加特别的电路，仅需通过在n型浮栅MOS管中增加一个输入端就可以方便的控制电路的开关。差分结构的触发器由于具有互补输出、低功耗、简单的结构等优点，而运用n型浮栅MOS管下拉网络代替了传统的差分型触发器中的nMOS逻辑电路，简化了下拉网络结构，从而进一步减小了电路的功耗。

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