利用反掺杂结的电器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201680069616.1
IPC分类号：H01L21/04;H01L29/15;H01L21/265;H01L29/737;H01L31/00
申请日期：
2016-09-29
申请人：
量子半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	利用反掺杂结的电器件
申请号	CN201680069616.1	申请日期	2016-09-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-03	公开/公告号	CN108369900A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;1;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;7;;;H;0;1;L;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	量子半导体有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	量子半导体有限公司	当前权利人	量子半导体有限公司
发明人	C.J.奥古斯托
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王岳;郑冀之

摘要

一种电器件包括从由pn结或p‑i‑n结组成的组中选择的反掺杂异质结。反掺杂结包括利用一个或多个n型主掺杂剂种类掺杂的第一半导体和利用一个或多个p型主掺杂剂种类掺杂的第二半导体。该器件还包括从由第一半导体和第二半导体组成的组中选择的第一反掺杂组件。利用一个或多个反掺杂剂种类来对第一反掺杂组件进行反掺杂，该一个或多个反掺杂剂种类具有与包括在第一反掺杂组件中的主掺杂剂的极性相反的极性。另外，选择某一水平的n型主掺杂剂、p型主掺杂剂和一个或多个反掺杂剂以使反掺杂异质结通过声子辅助机制提供放大并且该放大具有小于1V的起始电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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