具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610609550.2
IPC分类号：H01L33/10;H01L33/36;H01L33/00
申请日期：
2016-07-29
申请人：
天津三安光电有限公司

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著录项信息

专利名称	具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法
申请号	CN201610609550.2	申请日期	2016-07-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-11-16	公开/公告号	CN106129206A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/10 具有一个光反射结构，例如半导体布拉格反射镜〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;0;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	天津三安光电有限公司	申请人地址	天津市西青区华苑产业区海泰南道20号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津三安光电有限公司	当前权利人	天津三安光电有限公司
发明人	郭桓邵;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供了一种具有全镜面结构的发光二极管及其制作方法，利用外延预先成长的DBR层，在芯片工艺中再将欧姆接触层对应的DBR层保留，使欧姆接触电极区域既可形成欧姆接触亦具有反射层的效果，并搭配ODR镜面系统，构成全镜面结构，达到无反射镜面面积损失，具体结构包括发光外延叠层及位于其下方的镜面系统，所述镜面系统包括金属反射层和位于其上的透光层，所述透光层包括透光区和欧姆接触区，所述透光区由透光性介电材料构成，与金属反射层构成ODR反射镜，所述欧姆接触区从下到上依次包含欧姆接触层和DBR层，所述DBR层至少由第一半导体层和第二半导体层交替构成，从而构成一个不间断反射镜面系统。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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