一种预测低维MXenes可合成性的理论方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011277601.9
IPC分类号：G06F30/20;G06F119/18
申请日期：
2020-11-16
申请人：
东南大学

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著录项信息

专利名称	一种预测低维MXenes可合成性的理论方法
申请号	CN202011277601.9	申请日期	2020-11-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112861303A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G06F30/20	IPC分类号	G;0;6;F;3;0;/;2;0;;;G;0;6;F;1;1;9;/;1;8查看分类表>
申请人	东南大学	申请人地址	江苏省南京市江宁区东南大学路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东南大学	当前权利人	东南大学
发明人	王梦;李少晗;孙维威;于金;李慧
代理机构	南京苏高专利商标事务所（普通合伙）	代理人	曹坤

摘要

本发明公开了一种预测低维MXenes可合成性的理论方法。属于低维材料性质模拟计算领域，该方法首先通过建模软件构建多种MAX相模型，然后运用VASP软件进行结构优化和静态自洽计算，得到每个系统的能量值和电子结构数据，接着从两个角度定义剥离能，并以剥离能从理论上待预测MAX材料的剥离难度。最后运用VASP软件进行非静态自洽计算，绘制体系的态密度图和电荷密度图，分析材料属性和成键强度，筛选出理论上可合成的低维MXenes组成。本发明避免了传统的实验试错法，为低维MXenes材料合成的可能性提供了理论预测方法，有效地缩短了研发周期和成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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